| 產(chǎn)品參數(shù) |
| 品牌 | 皓睿光電 |
| 尺寸 | 2英寸 |
| 晶向 | <100> |
| 導(dǎo)電類型 | N型，硫（S）摻雜 |
| 表面 | 單面拋光 |
| 數(shù)量 | 25片/盒 |
| 封裝 | IP001 |
| 批號(hào) | IP001 |
| 可售賣(mài)地 | 全國(guó) |
| 型號(hào) | IP001 | |
2英寸磷化銦晶圓規(guī)格書(shū)
材質(zhì)：VFG垂直梯度凝固法生長(zhǎng)磷化銦晶體
晶向： ± 0.1°
導(dǎo)電類型：N型，硫（S）摻雜
電阻率：(0.5~2.5)*10^-3 ohm.cm
遷移率：1000~2500
載流子濃度： (0.8-8)*10^18
直徑：50.8 ± 0.2mm
厚度：350 ± 25mm
主定位邊：US/EJ
次定位邊：US/EJ
表面：?jiǎn)蚊鎾伖?br/>TTV≤10 um
BOW≤15 um
WARP≤20 um
包裝：?jiǎn)纹ㄈ醒b
* 磷化銦（InP）是一種重要的化合物半導(dǎo)體材料，其具有飽和電子漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)、導(dǎo)熱性好、光電轉(zhuǎn)換效率高、禁帶寬度高等諸多優(yōu)點(diǎn)，磷化銦具有閃鋅礦型晶體結(jié)構(gòu)，禁帶寬度為1.34eV，常溫下遷移率為3000—4500 cm2 /(V.S)，被廣泛應(yīng)用于光通信、高頻毫米波器件、光電集成電路和外層空間用太陽(yáng)電池等領(lǐng)域。以上的材料屬性，使用磷化銦襯底制造的半導(dǎo)體器件，因其特殊的材料特性，被廣泛應(yīng)用于生產(chǎn)射頻器件、光模塊、LED（Mini LED及Micro LED）、激光器、探測(cè)器、傳感器、太空太陽(yáng)能電池等器件，在5G通信、數(shù)據(jù)中心、新一代顯示、人工智能、無(wú)人駕駛、可穿戴設(shè)備、航天等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用空間。
* 磷化銦半導(dǎo)體材料具有寬禁帶結(jié)構(gòu)，并且電子在通過(guò)InP 材料時(shí)速度快，因此利用磷化銦芯片制造的衛(wèi)星信號(hào)接收機(jī)和放大器可以工作在100GHz以上的極高頻率，并且有很寬的帶寬，受外界影響較小，穩(wěn)定性很高。因此，磷化銦是一種比砷化鎵更先進(jìn)的半導(dǎo)體材料, 有可能推動(dòng)衛(wèi)星通信業(yè)向更高頻段發(fā)展。
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