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HYG017N10NS1TA電子元器件華羿微封裝TOLL批次22
HYG017N10NS1TA電子元器件華羿微封裝TOLL批次22 價格:8.86  元(人民幣) 產(chǎn)地:廣東省深圳市
最少起訂量:1 發(fā)貨地:廣東省深圳市
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深圳市萬國高科電子有限公司  
經(jīng)營模式:代理商 公司類型:股份合作企業(yè)
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聯(lián)系方式

聯(lián)系人:蔡經(jīng)理 (先生) 手機:15118831662
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郵箱:429775971@qq.com 地址:深圳市福田區(qū)福強路文化創(chuàng)意園H館四樓

詳細介紹

產(chǎn)品參數(shù)
品牌華羿微
封裝TOLL
批號22
數(shù)量1200
VDS100V
ID330A
RDSon1.6mΩ
CISS13880pF
可售賣地全國
型號HYG017N10NS1TA

華羿微電子股份有限公司(以下簡稱“公司”)成立于2017年6月28日,注冊資金4.15億元,是華天電子集團旗下專業(yè)從事半導體功率器件研發(fā)設計、封測和銷售的高新技術企業(yè)。公司位于西安經(jīng)開區(qū)尚稷路8928號,占地面積200.8畝,員工2600余人。
公司通過自主創(chuàng)新、技術積累和市場拓展,現(xiàn)形成了以領先晶圓研發(fā)設計和一流封測工藝為核心競爭力的業(yè)務體系。自研產(chǎn)品以20V—150V的中低壓MOSFET為主,分為抗沖擊能力突出的Trench(溝槽型)MOSFET和具備高頻、高動態(tài)特性的SGT MOSFET(低屏蔽柵溝槽型)兩大系列,已量產(chǎn)的產(chǎn)品達到400余種,廣泛應用于電動車、汽車電子、5G基站、電動工具、儲能、消費電子等領域,特別是在電機驅(qū)動、電池儲能領域擁有較高的市場占有率;封測產(chǎn)品主要有TO-220、TO-220F、TO-262、TO-263、PPAK、DPAK、IPAK、TO-3P、TO-247、TO-264、IPM等11大系列,共計約60余種封裝外形,產(chǎn)品覆蓋各功率段的二極管、三極管、MOSFET、超結(jié)MOSFET、IGBT等分立器件和模塊。

SGT和Trench MOS差異:

Trench工藝:內(nèi)阻較大,動態(tài)參數(shù)Ciss/Qgd較差,且二者呈現(xiàn)負相關特性。若想獲得低內(nèi)阻的產(chǎn)品,需增大芯片面積或減薄芯片厚度,隨之會導致Ciss/Qgd急劇增大,同時增大產(chǎn)品成本。

SGT工藝:相同芯片面積下,對比Trench ?MOS有較小的導通內(nèi)阻與動態(tài)參數(shù)Ciss/Qgd。故在同一8寸/6寸晶圓下, SGT有著較高產(chǎn)能,隨之成本較低。但由于目前受生產(chǎn)工藝等多方面因素制約,其價格優(yōu)勢不太明顯。 此外,相同或近似電壓、內(nèi)阻規(guī)格產(chǎn)品下, Trench MOS抗沖擊性能會遠優(yōu)于SGT ?MOS,具體體現(xiàn)為SOA區(qū)域較大。故在存在電流、電壓沖擊的應用中,若不同時要求內(nèi)阻及動態(tài)參數(shù),可優(yōu)先選擇Trench ?MOS。
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打線Cu-Clip 對于MOS性能影響:

得益于更高的源極鍵合面積和鍵合線數(shù)量,產(chǎn)品具有更好的電流均勻性,在相同的溫升下,TO-263-6L具有更好的溫度均勻性和更低的熱點效應。

若如TO-263-6L的模式,將源極鍵合打線無窮多,最終演化為芯片源極S極表面鋁線/銅線替換為銅片,直接壓焊精密貼合于芯片,獲得更小的封裝接觸電阻及電流密度,使得MOS具有更小的導通內(nèi)阻,更大的抗沖擊性能及溫度均勻性。

TOLL是一種高效節(jié)省空間的封裝,具有極低的寄生電阻和強大的熱性能,非常適合于高電流和高壓應用。它符合現(xiàn)有的JEDEC封裝外形,比Amkor目前提供的D2PAK (TO263)封裝小30,薄50。TOLL封裝引線設計有潤濕性側(cè)翼,使其非常適合汽車市場。TOLL一直是整合元件制造商在汽車電子應用中的首選技術。

低內(nèi)阻:Ron 大電流:ID>300A 高抗沖擊:IDM、SOA 低封裝寄生效應:封裝電容、電感 更小的PCB占據(jù),更高能量密度

應用領域: ? ?儲能電源、汽車電子、大功率無人機、電動工具

TOLL產(chǎn)品特點:小管腳, 低剖面 超大通流能力 超小的寄生電感大的焊接面積

高效率和低系統(tǒng)成本 更少的并聯(lián)數(shù)量和冷卻需求 高功率密度 優(yōu)秀的EMI性能 高可靠性

型號

封裝

VDS

ID(A)

?Rds(on)mΩ

Ciss(pF)

Typ

Max

HYG017N10NS1TA

TOLL

100V

330

1.6

1.95

13880

HYG016N10NS1TA

TOLL

100V

370

1.35

1.6

13720

?

HYG017N10NS1TA主要針對BMS、儲能等市場,針對保量市場進行價格PK,兩顆料主要與NCEP020N10/PWD015N10等型號參數(shù)類似,綜合性能測試反饋比較好。 HYG016N10NS1TA主要針對高端客戶市場進行推薦,綜合成本會稍高; 實測數(shù)據(jù)Typ值分別為1.3和1.35mΩ
?王 宇??Betson
?深圳市萬國高科電子有限公司
?深圳市福田區(qū)梅林街道中康路卓越梅林中心廣場南區(qū)A座2501室
?M.P:1360-2525-365???E-mail:betson@wggk.net??

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