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4英寸熱氧化工藝單晶硅片，氧化硅片襯底晶圓，氧化層厚度定制

	價格：200.00 元(人民幣)	產(chǎn)地：江蘇無錫
	最少起訂量：1	發(fā)貨地：江蘇無錫
	上架時間：2025-10-22 22:40:13	瀏覽量：16
	江陰皓睿光電新材料有限公司
	經(jīng)營模式：生產(chǎn)加工	公司類型：私營有限責(zé)任公司
	所屬行業(yè)：光電子器件	主要客戶：科研院所
	在線咨詢

聯(lián)系方式

聯(lián)系人:吳明博 (先生)	手機:13961650381
電話:	傳真:
郵箱:derry@helioswafer.com	地址:江蘇省無錫市江陰市果園路12號

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品參數(shù)

品牌	皓睿光電
尺寸	4英寸100mm
氧化	單面、雙面氧化
氧化層厚	20-1000nm
拋光	單面、雙面拋光
晶向	100
導(dǎo)電類型	P型
可售賣地	全國
材質(zhì)	單晶硅

單晶硅片規(guī)格書

材質(zhì)：CZ法單晶硅/FZ區(qū)熔單晶硅
直徑：50.8mm（2英寸），100mm（4英寸）
晶向：
導(dǎo)電類型：P型
拋光：單面拋光，雙面拋光
氧化：單面氧化，雙面氧化
拋光面粗糙度：氧化層：20nm-1000nm
TTV≤10 um
包裝：25片/盒卡塞裝

硅材料是目前主要的元素半導(dǎo)體材料，用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池等領(lǐng)域，是電子工業(yè)的基礎(chǔ)材料。熱氧化是硅平面技術(shù)中一項重要的工藝，硅與含有氧化物質(zhì)的氣體，如水汽和氧氣在高溫下進行化學(xué)反應(yīng)，在硅片表面產(chǎn)生一層致密的二氧化硅(SiO2)絕緣薄膜，具有穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)，在集成電路制造中有廣泛的應(yīng)用。

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