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主營INFINEON IRF540NPBF 原裝正品 IRF540N 現(xiàn)貨庫存

	價格：1.35 元(人民幣)	產(chǎn)地：本地
	最少起訂量：1片	發(fā)貨地：廣東深圳市
	上架時間：2019-01-08 16:56:48	瀏覽量：248
	深圳市共強科技有限公司
	經(jīng)營模式：經(jīng)銷商	公司類型：私營獨資企業(yè)
	所屬行業(yè)：集成電路/IC	主要客戶：電子廠
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聯(lián)系人:周先生 (先生)	手機:15889711789
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詳細介紹

產(chǎn)品詳細信息

N 通道功率 MOSFET 100V，Infineon

Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道設(shè)備，采用表面安裝和引線封裝。形狀系數(shù)可解決大多數(shù)板布局和熱設(shè)計挑戰(zhàn)問題。在整個范圍內(nèi)，基準導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗，讓設(shè)計人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準的 MOSFET。

產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)

AttributeValue

通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	33 A
最大漏源電壓	100 V
最大漏源電阻值	44 mΩ
最大柵閾值電壓	4V
最小柵閾值電壓	2V
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
封裝類型	TO-220AB
安裝類型	通孔
引腳數(shù)目	3
晶體管配置	單
通道模式	增強
類別	功率 MOSFET
最大功率耗散	130 W
典型關(guān)斷延遲時間	39 ns
最高工作溫度	+175 °C
尺寸	10.54 x 4.69 x 8.77mm
寬度	4.69mm
每片芯片元件數(shù)目	1
系列	HEXFET
晶體管材料	Si
高度	8.77mm
典型接通延遲時間	11 ns
長度	10.54mm
典型輸入電容值@Vds	1960 pF@ 25 V
典型柵極電荷@Vgs	71 nC @ 10 V
最低工作溫度	-55 °C

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N 通道功率 MOSFET 100V，Infineon

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