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STN4826替代Si9945BDY、Si4946CDY

描述
stn4826是雙N溝道邏輯增強型功率場效應(yīng)
晶體管是利用高密度，DMOS器件溝道技術(shù)。
這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態(tài)的阻力。這些
裝置特別適合于低電壓應(yīng)用，筆記本電腦電源
管理和其他電池供電的電路，高側(cè)開關(guān)。

特征
60V / 8.0A，RDS（ON）＝30mΩ（典型值）
@ VGS = 10V
60V／6A，RDS（ON）= 40mΩ
@ VGS = 4.5V
超高密度電池設(shè)計
極低的RDS（on）
特殊的阻力和
最大直流電流能力
SOP-8封裝設(shè)計