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銀茂微IGBT模塊型號GT150PI120T6H
銀茂微IGBT模塊型號GT150PI120T6H 價格:  元(人民幣) 產(chǎn)地:本地
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無錫華潤華晶微電子有限公司  
經(jīng)營模式:生產(chǎn)加工 公司類型:股份有限公司
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電樂驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件并兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度閃快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

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