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大口徑射頻離子源 RFICP 380
上海伯東美國(guó) KRi 大口徑射頻離子源 RFICP 380, 3層?xùn)艠O設(shè)計(jì), 柵極口徑 38cm, 提供離子動(dòng)能 100-1200eV 寬束離子束, 最大離子束流 > 1000mA, 滿足 300 mm (12英寸)晶圓應(yīng)用. 廣泛應(yīng)用于離子束刻蝕機(jī).
KRi 射頻離子源 RFICP 380 特性
1. 放電腔 Discharge Chamber, 無(wú)需電離燈絲, 通過(guò)射頻技術(shù)提供高密度離子, 工藝時(shí)間更長(zhǎng). 2kW & 1.8 MHz, 射頻自動(dòng)匹配
2. 離子源結(jié)構(gòu)模塊化設(shè)計(jì)
3. 離子光學(xué), 自對(duì)準(zhǔn)技術(shù), 準(zhǔn)直光束設(shè)計(jì), 自動(dòng)調(diào)節(jié)技術(shù)保障柵極的使用壽命和可重復(fù)的工藝運(yùn)行
4. 全自動(dòng)控制器
5. 離子束動(dòng)能 100-1200eV
6. 柵極口徑 38cm, 滿足 300 mm (12英寸)晶圓應(yīng)用

射頻離子源 RFICP 380 技術(shù)規(guī)格:

射頻離子源 RFICP 380 基本尺寸:

上海伯東美國(guó)考夫曼 KRI 大口徑射頻離子源 RFICP 220, RFICP 380 成功應(yīng)用于 12英寸和 8英寸磁存儲(chǔ)器刻蝕機(jī), 8英寸量產(chǎn)型金屬刻蝕機(jī)中, 實(shí)現(xiàn) 8英寸 IC 制造中的 Al, W 刻蝕工藝, 適用于 IC, 微電子,光電子, MEMS 等領(lǐng)域.
作為蝕刻機(jī)的核心部件, KRI  射頻離子源提供大尺寸, 高能量, 低濃度的離子束, 接受客戶定制, 單次工藝時(shí)間更長(zhǎng), 滿足各種材料刻蝕需求!