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電纜模注熔接接頭技術(shù)關(guān)鍵制作工藝共分為5個部分，依次為線芯導體恢復、內(nèi)半導電層恢復、主絕緣恢復、外半導電層的恢復以及金屬屏蔽的恢復。

  1、線芯導體恢復：導體連接是通過電纜導體熱熔焊接技術(shù)實現(xiàn)電纜線芯的等徑對接，也是區(qū)別于傳統(tǒng)電纜連接方式的關(guān)鍵。放熱焊接是通過氧化銅與鋁的化學反應(yīng)（放熱反應(yīng)）產(chǎn)生高溫實現(xiàn)銅與電纜導體的熔接，熔接后沒有任何附件存在。熱熔焊接后熔接點的載流能力與導體相同，具有良好的導電性能，焊接前后的直流電阻比率變化率幾乎不變。

  2、內(nèi)半導電層的恢復：內(nèi)半導的恢復是制作熔接接頭的核心工藝之一，其制作水平?jīng)Q定著熔接接頭的場強是否與原電纜場強分布一致。現(xiàn)場技術(shù)人員將半導電帶進行繞包后，安裝半導電筒和模具，進行加熱升溫使得內(nèi)半導熔融連接，經(jīng)打磨處理光滑實現(xiàn)等徑恢復�，F(xiàn)場所使用的半導帶是與生產(chǎn)電纜半導電料相同的材質(zhì)、具有良好相融性的專用超光滑半導電料。

  3、主絕緣恢復：現(xiàn)場制安技術(shù)人員使用專用工具將絕緣材料擠注到內(nèi)半導表面，然后對絕緣材料進行一次性模注熱熔成型實現(xiàn)與原電纜絕緣的熔融結(jié)合，使電纜熔接處絕緣水平恢復至原電纜的絕緣水平。為了提高絕緣安全裕度，現(xiàn)場可見熔接接頭處的絕緣厚度略有增加。

  4、外半導電層的恢復：現(xiàn)場技術(shù)人員由電纜兩端半導電端口處均勻涂抹半導電漆，向熔接接頭處涂抹-自然風干-再均勻涂摸半導電漆，如此反復均勻涂抹共3次，自然風干形成后再按順序以1/2半搭接繞包半導電帶3層，再繞包銅屏蔽網(wǎng)等實現(xiàn)外半導電層的恢復。