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中科君芯JFG105N100L 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ?是一種電子元件，主要用于電池管理系統(tǒng)和電源管理、消費(fèi)適配器、電子工具和DC/DC 轉(zhuǎn)換器。其工作原理基于增強(qiáng)型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），通過(guò)控制柵極電壓來(lái)調(diào)節(jié)源極和漏極之間的導(dǎo)電通道，從而實(shí)現(xiàn)電流的控制。

功能特性：

? 設(shè)備額定電壓VDS:=30V,連續(xù)工作時(shí)漏極電流上限 ID = 8A

? 導(dǎo)通電阻=15mΩ (typ.) 柵源電壓= 10V, 漏極電流 = 8A

導(dǎo)通電阻=25mΩ (typ.) 柵源電壓= 4.5V, 漏極電流 = 6A

? 專有高密度溝槽技術(shù)

?環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)?：符合RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鉛封裝，環(huán)保性能良好，不含鹵素或鹵素含量極低

封裝：SOP-8L

參數(shù)：

?VDS（Drain-Source Voltage）?：30V
?VGS（Gate-Source Voltage）?：±20V
?ID（Continuous Drain Current）?：Tc=25°對(duì)應(yīng)最大漏極電流上限8.9A,Tc=70°對(duì)應(yīng)漏極電流上限最大值7.1A
?IDM（Pulsed Drain Current）：64A
PD（Total Power Dissipation）?：TC = 25℃ 對(duì)應(yīng)2.15W,TA = 70℃對(duì)應(yīng)0.86W
EAS單脈沖雪崩能量:8mJ
RθJA熱阻:58°C\W
RθJL:結(jié)到殼的熱阻:20°C\W
?TJ?\TSTG?:-55 to +150°C
注：電氣特性 除非另有說(shuō)明，TC=25℃