一、核心定位與封裝
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類型：雙管 IGBT 模塊（內含 2 組 IGBT + 續(xù)流二極管）
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封裝：62mm C?series（AG?62MM?1），7 引腳，螺絲安裝
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工藝：TRENCHSTOP? IGBT4（溝槽柵 + 場終止）+ EC?HE 二極管
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認證：UL1557（E83336）、CSA、RoHS
二、關鍵電氣參數（25℃/150℃）
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參數
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符號
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典型 / 最大值
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條件
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集射極耐壓
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VCES
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1200 V
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—
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額定直流電流
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IC nom
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450 A
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TC=100℃
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最大直流電流
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IC
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580 A
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TC=25℃
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重復峰值電流
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ICRM
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900 A
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tp=1ms
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飽和壓降
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VCE(sat)
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1.75 V / 2.10 V
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IC=450A, VGE=15V, 25℃/150℃
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柵極閾值
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VGE(th)
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5.2 V
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IC=17mA, 25℃
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最大結溫
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Tvj max
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150 ℃
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—
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功耗
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Ptot
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2400 W
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—
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絕緣電壓
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Visol
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4000 V AC 1min
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—
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三、核心特性
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低損耗 + 軟開關：IGBT4 優(yōu)化開關特性，關斷更軟、損耗更低，適合高頻逆變。
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高結溫：Tvj max=150℃，提升功率密度與可靠性。
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HE 二極管：低正向壓降、快恢復，降低續(xù)流損耗。
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高絕緣：4000V AC 隔離，適配工業(yè)高壓場景。
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可選預涂導熱材料（TIM）：簡化裝配、提升散熱一致性。
四、典型應用
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工業(yè)變頻器、伺服驅動
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光伏逆變器、UPS、儲能變流器
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電焊機、大功率開關電源
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軌道交通牽引、風電變流器
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