IGBT單管

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	上架時(shí)間：2020-11-23 17:04:55	瀏覽量：125
	深圳市英科芯電子有限公司
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IKW75N60T

600 V IGBT，采用反并聯(lián)二極管，TO-247 封裝

英飛凌的 600 V、75 A 硬開(kāi)關(guān) TRENCHSTOP? IGBT3，采用在 TO-247中封裝得全額定續(xù)流二極管，由于結(jié)合了溝槽單元和場(chǎng)終止概念，顯著提高了靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能。IGBT和軟恢復(fù)發(fā)射極控制二極管的結(jié)合進(jìn)一步降低了開(kāi)通損耗。由于開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗之間實(shí)現(xiàn)了折中方案，因此達(dá)到了較高效率。

特征描述

更低的傳導(dǎo)損耗實(shí)現(xiàn)較低的 V_CEsat 壓降
低開(kāi)關(guān)損耗
由于 V_CEsat中的正溫度系數(shù)，因此易于進(jìn)行平行開(kāi)關(guān)
非常軟且快速恢復(fù)的反平行發(fā)射極控制二極管
具有高魯棒性、溫度穩(wěn)定的行為
低電磁干擾輻射
低柵極電荷
非常嚴(yán)格的參數(shù)分配

優(yōu)勢(shì)

高效率 - 低傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗
600 V 和 1200 V 的全面產(chǎn)品組合可實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)靈活性
設(shè)備可靠性高

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